Transistor à effet de champ pour la réalisation d'expériences de base dans le domaine de l'électronique.

Caractéristiques techniques:
- FET à canal N
- Puissance dissipée : max. 625 mW
- Applications : étages d'entrée à haute impédance

Sciences > Physique > Produits > Electicité/Electronique > Électricité/électronique (STE) > Transistors STE

Poids: 0 Kg
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