Photodiode InGaAs pour des mesures dans le proche infrarouge au-delà de la bande interdite du silicium. Généralement pour des longueurs d'onde de 1550 nm ou 1300 nm. Connecteur PS/2 pour l'amplificateur de signal ( 474306 ).

Caractéristiques techniques :
Surface sensible : 0,3 mm de diamètre
Sensibilité : 0,85 A/W @ 1300 nm
Gamme de longueurs d'onde : 850...1650 nm

Poids: 0.5 Kg
Delai de livraison estimé : 12 semaines