Ref: P4.1.5.5
P4.1.5.5 Tracé des caractéristiques d'un transistor à effet de champ avec CASSY
Au cours de l'expérience P4.1.5.5, on mesure puis on trace la caractéristique dun transistor à effet de champ, c.-à-d. le courant de drain ID en fonction de la tension UDS entre drain et source pour une tension de grille UG constante.
Équipement comprenant :
1 576 81 Plaque à réseau prise de sécurité , 20/10
1 578 772 Transistor à effet de champ J112
1 577 56 Résistance 10 kOhms, STE 2/19
1 578 31 Condensateur 0,1 µF, STE 2/19
1 524 013 Sensor-CASSY 2
1 524 011USB USB Power-CASSY
1 524 220 CASSY Lab 2
3 500 621 Câble de connexion de sécurité 50 cm, rouge
3 500 622 Câble de connexion de sécurité 50 cm, bleu
1 En complément : PC avec Windows XP/Vista/7/8/10 (x86 ou x64)
Équipement comprenant :
1 576 81 Plaque à réseau prise de sécurité , 20/10
1 578 772 Transistor à effet de champ J112
1 577 56 Résistance 10 kOhms, STE 2/19
1 578 31 Condensateur 0,1 µF, STE 2/19
1 524 013 Sensor-CASSY 2
1 524 011USB USB Power-CASSY
1 524 220 CASSY Lab 2
3 500 621 Câble de connexion de sécurité 50 cm, rouge
3 500 622 Câble de connexion de sécurité 50 cm, bleu
1 En complément : PC avec Windows XP/Vista/7/8/10 (x86 ou x64)
